品牌:CCT | 型号:1812 105K 100V | 介质材料:陶瓷(瓷介) |
应用范围:高压 | 外形:方块状 | 功率特性:大功率 |
频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 |
允许偏差:0~100 | 耐压值:5.5 | 标称容量:564 |
损耗:低损 | 额定电压:250VV | 温度系数:-55-125 |
1812 105K 100V 符合ROHS TDK贴片电容---C4532X7R2A105K
TDK车载等级积层陶瓷贴片电容器,分为两种。一种是采用CaZrO3(锆钙氧化物)等作为电介质的低介电常数系列(种类1:CLASS Ⅰ),另一种为采用钛酸钡(BaTiO3)等作为电介质的高介电常数系列(种类2:CLASS Ⅱ)
。TDK车载等级积层陶瓷贴片电容器如果需要获得大量电容量,则高介电常数系列相对有利。但是,高介电常数系列,有其缺点,即,电容量变化率受温度变化的影响大。而低介电常数系列,电容量变化率值随温度的变
化波动小,其多用于滤波器回路、振动回路等需要高安稳性的部位。因而,低介电常数系列也被称为“温度补偿用”系列。
车载电子机器设备与一般电子机器设备区别在于,前者从严寒到酷暑应用温度范围非常广泛。另一方面,伴随着汽车不断向电子化发展,搭载于汽车的ECU(电子制御系统)数量高达数十种,甚至上百种。而且,
多数配线(Wire Harness)遍布车内。因为配线的重量高达10 公斤,最近几年,车身的重量不断向轻量化发展,厂商开始把ECU 安置在发动机室内。但是,汽车行使过程中,发动机室内的温度高达125℃,发动机表面
的温度甚至上升到150℃。因而,作为车载用电子零件,不仅要求其具有耐高温性,而且,无论在严寒,还是酷暑这样广泛的温度范围内,具有的安定特性。为应对市场需求,X7R特性以及X8R 特性的积层陶瓷贴片
电容器(高介电常数系列)应运而生。
所谓X7R 特性, 即, 适用温度范围为-55 ℃ ~+125℃,容量变化率为±15℃以内;X8R 特性,即,适用温度范围为-55℃~+150℃,容量变化率为±15℃以内, 满足EIA(电子工业协会)规格。正如前述,高介电常数
系列温度特性相对较差,适用的温度范围较窄。TDK车载等级积层陶瓷贴片电容器X8R特性产品是推动汽车电子化发展不可或缺的产品。TDK通过改善材料组成以及工程条件,以求电介质陶瓷粒子构造的***化以及粒径
的均一化,即可应对125℃高温环境的X7R 特性产品之后,又打造出可以在150℃高温环境在工作的X8R 特性积层陶瓷贴片电容器。伴随着应对端市场需求而应运而生X8R 特性产品的创出,以往因受温度环境影响而造
成的搭载部位的限制随之消失。该特性产品在发动机制御系统、电感模块、HID、ABS 等等各种车载机器设备领域里,大显身手,充分发挥着其良好的功能。今后,TDK 将进一步提高产品车载等级积层陶瓷贴片电容器的
温度特性,不断扩大其电容量,努力生产出更加应用于各种环境的优质产品。
内容摘要:TDK车载级贴片高压电容CGA9N3X7R1H106K230KB宸远科技(CCT)是专业高压积层陶瓷电容
供应TDK车载级贴片高压电容CGA9N3X7R1H106K230KB(图)
TDK车载级贴片高压电容CGA9N3X7R1H106K230KB详细介绍:
TDK车载级贴片高压电容CGA9N3X7R1H106K230KB
TDK原装电容---C2012C0G1H472J 0805 50V 472J
TDK***电容---C3216X5R1C106K-1206 16V 106K
TDK深圳代理电容---C3216X7R1H474K-1206 50V 474K
东莞TDK代理电容---C3216X7R1H684K-1206 50V 684K
作用于滤波效果的TDK电容---C3216X7R1H105K 1206 105K 50V
用于电源降压的TDK电容---C3225X7R1H335K 1210 335K 50V
用于电源倍压的TDK电容---C3225X7R1E106K-1210 25V 106K
吸收浪涌保护IC的TDK电容---C3225X5R1C226K-1210 226K 16V
1812 105K 100V 符合ROHS TDK贴片电容---C4532X7R2A105K
1812 50V 475K 高容值贴片电容替换插件TDK电容---C4532X7R1H475K
1812 25V 106K 10UF贴片电容替换钽电容TDK电容---C4532X7R1E106K
1812 25V 226M 22UF高容值贴片电容TDK代理商---C4532X5R1E226M
(5750封装)进口2220 106K 50V TDk电容---C5750X7R1H106K
汽车级贴片电容1206 50V 684K TDk电容---C3216X7R1H684K
汽车大灯专用1210 225K 50V TDk电容---C3225X7R1H225K
进口汽车级贴片电容1210 25V 106K TDk电容---C3225X7R1E106K
车载级专用贴片电容1812 105K 100V TDk电容---C4532X7R2A105K
***优质汽车级贴片电容1812 50V 475K TDk电容---C4532X7R1H475K
车载级电子元器件1812 25V 226M TDk电容----C4532X5R1E226M
车归品贴片电容2220 106K 50V TDk电容---C5750X7R1H106K
高压贴片电容用于:照明电源产品,高低频无极灯电源, 通讯电源交换机,LED日光灯恒流驱动电源,汽车HID灯(安定器),模块电源、医疗电源,LED阻容降压,、ASDL语音分离器、RJ45以太网接口、数码相机的闪光灯、
LED圣诞灯,节能灯等以及各类电子产品中.
详情请垂询13510258262 刘妍妍(13714919324)
或加QQ:2722553101
高压贴片电容主要用于电源滤波,电源降压,倍压,吸收浪涌保护IC, 基本工作原理就是充电放电,当然还有整流、振荡以及其它的作用等作用。应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能,常用于模块电源、
液晶显示器inverter高压板,LED阻容降压电源,(INVERTER)逆变器、汽车氙气灯(HID电子安定器)、ASDL语音分离器、RJ45以太网接口、数码相机的闪光灯、LED圣誕灯灯串.节能灯和高频无极灯,电子镇流器等产品中;
贴片压敏电阻MLCV产品在移动电话、PDA、MP3、MP4和电脑主板等领域有着广阔的应用前景.
公司总部设在台湾,在深圳、上海设有分公司,本公司拥有完整、科学的质量管理体系,诚信、实力和产品质量获得***的认可。
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高压贴片电容特性:
1.等效串联电阻(ESR)小,阻抗(Z)低,与同等钽电容或者铝电解电容相比,ESR小几十倍,能量利用***,发热小,价格低。
2.品种,规格齐全,体积小。容量从10pF到47uF,耐压从10V-6000V,体积最小可以达到1X0.5mm.
3.无极性,可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路,而且装配更为方便。
4.性能稳定,即使被击穿也不会燃烧,安全性高。
应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
低容量电容NP0材料(10-6800pF):适用频率1-100MHz
1.温度系数:0±30ppm/℃,-55℃~125℃;
2.电容量漂移:不超过±0.3%或±0.05pF(取较大者)。
3.老化特性:无
高容量电容X7R材料(6800pF以上):适用频率不超过10KHz
1.温度特性:不超过±15%,-55℃~125℃。
2.老化特性:每10年变化1%ΔC,表现为10年变化约5%。
工作温度为环境温度与元件本体温升之和。
降额设计
设计者在选用电容器工作电压时,应考虑施加在电容器两端的直流电压与交流电压峰值之和不能超过额定电压。为***产品及线路的可靠性,在实际设计时建议降额使用
使用注意事项
工作温度
电容器设计类别温度范围有?55℃~125℃、?55℃~85℃两种,设计者必须确保工作温度符合此范围。为延长电容器的使用寿命,推荐工作温度限制在低于上限类别温度10℃~15℃。设计者考虑电容器的
高压贴片电容用于:照明电源产品,高低频无极灯电源, 通讯电源交换机,LED日光灯恒流驱动电源,汽车HID灯(安定器),模块电源、医疗电源,LED阻容降压,、ASDL语音分离器、RJ45以太网接口、数码相机的闪光灯、
LED圣诞灯,节能灯等以及各类电子产品中.
主要用于电源滤波,电源降压,倍压,吸收浪涌保护IC,基本工作原理就是充电放电,当然还有整流、振荡以及其它的作用。应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能
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MLCC 制作工艺流程:
1、原材料——陶瓷粉配料关键的部分(原材料决定MLCC的性能);
2、球磨——通过球磨机(大约经过2-3天时间球磨将瓷份配料颗粒直径达到微米级);
3、配料——各种配料按照一定比例混合;
4、和浆——加添加剂将混合材料和成糊状;
5、流沿——将糊状浆体均匀涂在薄膜上(薄膜为特种材料,***表面平整);
6、印刷电极——将电极材料以一定规则印刷到流沿后的糊状浆体上(电极层的错位在这个工艺上***,不同MLCC的尺寸由该工艺***);
7、叠层——将印刷好电极的流沿浆体块依照容值的不同叠加起来,形成电容坯体版(具体尺寸的电容值是由不同的层数确定的);
8、层压——使多层的坯体版能够结合紧密;
9、切割——将坯体版切割成单体的坯体;
10、排胶——将粘合原材料的粘合剂用390摄氏度的高温将其排除;
11、焙烧——用1300摄氏度的高温将陶瓷粉烧结成陶瓷材料形成陶瓷颗粒(该过程持续几天时间,如果在焙烧的过程中温度控制不好就容易产生电容的脆裂);
12、倒角——将长方体的棱角磨掉,并且将电极露出来,形成倒角陶瓷颗粒;
13、封端——将露出电极的倒角陶瓷颗粒竖立起来用铜或者银材料将断头封起来形成铜(或银)电极,并且链接粘合好电极版形成封端陶瓷颗粒(该工艺决定电容的);
14、烧端——将封端陶瓷颗粒放到高温炉里面将铜端(或银端)电极烧结使其与电极版接触缜密;形成陶瓷电容初体;
15、镀镍——将陶瓷电容初体电***(铜端或银端)电镀上一层薄薄的镍层,镍层一定要完全覆盖电***铜或银,形成陶瓷电容次体(该镍层主要是屏蔽电极铜或银与最外层的锡发生相互渗透,导致电容老衰);
16、镀锡——在镀好镍后的陶瓷电容次体上镀上一层锡想成陶瓷电容成体(锡是易焊接材料,镀锡工艺决定电容的可焊性);
17、测试——该流程必测的四个指标:耐电压、电容量、DF值损耗、漏电流Ir和绝缘电阻Ri(该工艺区分电容的耐电压值,电容的***度等)
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